Mnogoslojnye sistemy tipa CaF2 - CoSi2 - Si, GaAlAs - GaAs v nastoyashhee vremya shiroko primenyajutsya v strukturah kremnij (ili inoj poluprovodnik) na dijelektrike, priborah na osnove MDP - struktur. Oni takzhe primenyajutsya dlya sozdaniya vspomogatel'nyh jelementov pribornyh struktur mikrojelektroniki, vkljuchaya zashhitnye i dijelektricheskie sloi dlya materialov A3V5, opticheskie pokrytiya i okna dlya optojelektroniki, monokristallicheskie vysokorazreshajushhie rezisty, bufernye sloi dlya sozdaniya na osnove kremniya novyh geterokompozicij, naprimer, almaz - na kremnii i t.p. V dannoj rabote privedeny rezul'taty komplexnogo izucheniya mehanizmov modifikacii i osobennostej obrazovaniya nanorazmernyh struktur v poverhnostnyh sloyah PdBa, CoSi2, CaF2 i GaAs pri nizkojenergeticheskoj ionnoj bombardirovke s posledujushhej termicheskoj i lazernoj obrabotkoj. ukryj opis